Počet záznamů: 1  

Characteristics of an ECR plasma sputtering source at low Ar/N2 gas pressures for thin film synthesis

    1.
    SYSNO ASEP0132072
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevCharacteristics of an ECR plasma sputtering source at low Ar/N2 gas pressures for thin film synthesis
    Tvůrce(i) Shoyama, H. (JP)
    Mišina, Martin (FZU-D)
    Miyake, S. (JP)
    Zdroj.dok.Japanese Journal of Applied Physics. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 0021-4922
    Roč. 36, 7B (1997), s. 4583-4587
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.JP - Japonsko
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru1999

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.

Přijmout všeNastaveníOdmítnout vše