Počet záznamů: 1
Deep level transient measerements of DX centers in GaAlAs up to room temperature
SYS 0131337 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20230418210301.0 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a Deep level transient measerements of DX centers in GaAlAs up to room temperature 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256872 $1 011 $a 0021-8979 $e 1089-7550 $1 200 1 $a Journal of Applied Physics $v Roč. 82, č. 4 (1997), s. 1967-1969 $1 210 $c AIP Publishing 700 -1
$3 cav_un_auth*0062576 $a Dósza $b L. $y HU $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0062577 $a Tuen $b V. V. $y HU $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100246 $a Hubík $b Pavel $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100586 $a Terziev $b Nikolay $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100372 $a Mareš $b Jiří J. $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100327 $a Krištofik $b Jozef $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1