Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method
1.
SYSNO ASEP
0105980
Druh ASEP
J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV
J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J
Ostatní články
Název
Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method
Překlad názvu
Určení profilu nosičů na zešikmené GaAs struktuře pomocí PCIV metody
Tvůrce(i)
Kinder, R. (SK) Srnánek, R. (SK) Hulényi, L. (SK) Walachová, Jarmila (URE-Y) Tlaczala, M. (PL) Sciana, B. (PL) Radziewicz, D. (PL)
Zdroj.dok.
Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis. - : Slovenská technická univerzita v Bratislave
- ISSN 1335-3632
Roč. 55, 9-10 (2004), s. 261-264
Poč.str.
4 s.
Jazyk dok.
eng - angličtina
Země vyd.
SK - Slovensko
Klíč. slova
impurity distribution
Vědní obor RIV
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP
KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd
Anotace
Determination of free charge profiles of GaAs on a bevelled surface by PCIV is presented. The bevelled structure were prepared by chemical etching. The results are compared with the electrochemical capacitance-voltage technique.
