Počet záznamů: 1
Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection
- 1.
SYSNO ASEP 0105961 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Characterization of InP epitaxial layers for use in radiation detection Překlad názvu Charakterizace epitaxních vrstev InP, vhodných pro detekci ionizujícího záření Tvůrce(i) Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Žďánský, Karel (URE-Y)
Procházková, Olga (URE-Y)
Kozak, Halina (URE-Y)Zdroj.dok. ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. - Piscataway : IEEE, 2004 / Osvald J. ; Haščík Š. - ISBN 0-7803-8535-7 Rozsah stran s. 247-250 Poč.str. 4 s. Akce Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./ Datum konání 17.10.2004-21.10.2004 Místo konání Smolenice Země SK - Slovensko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova semiconductors ; photoluminescence ; galvanomagnetic effects Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA102/03/0379 GA ČR - Grantová agentura ČR IBS2067354 GA AV ČR - Akademie věd KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd Anotace InP single crystals were grown by liquid phase epitaxy on semi-insulating InP:Fe and n-type InP:Sn substrates with cerium, thulium and europium additions to the growth melt. Grown layers were examined by low-temperature photoluminescence spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall measurements. All layers exhibit the change of electrical conductivity from n to p at certain RE concentration in the melt. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1