Počet záznamů: 1
Elastic electron backscattering from silicon surfaces: effect of charge-carrier concentration
- 1.
SYSNO ASEP 0104231 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Elastic electron backscattering from silicon surfaces: effect of charge-carrier concentration Překlad názvu Pružný odraz elektronů od povrchu křemíku: vliv koncentrace nosičů náboje Tvůrce(i) Zemek, Josef (FZU-D) RID, ORCID
Jiříček, Petr (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Lesiak, B. (PL)
Jablonski, A. (PL)Zdroj.dok. Surface and Interface Analysis. - : Wiley - ISSN 0142-2421
Roč. 36, - (2004), s. 809-811Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova elastic peak electron spectroscopy(EPES) ; inelastic mean free path(IMFP) ; elastic electron backscattering probability ; charge-carrier concentrations ; silicon Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/02/0237 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Silicon wafers, p- and n-doped with different free-carrier charge concentrations, were selected as model materials to study a possible influence of charge-carrier concentrations (or electrical conductivity) on measured elastic electron backscattering probabilities and electron inelastic mean free paths determined by elastic peak electron spectroscopy Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1