Počet záznamů: 1
Low frequency noise and I-V characteristic as characterization tools for 2.3 µm CW GaSb based laser diodes
- 1.
SYSNO ASEP 0104222 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Low frequency noise and I-V characteristic as characterization tools for 2.3 µm CW GaSb based laser diodes Překlad názvu Nízkofrekvenční šum a V-A charakteristiky kontinuálních GaSb laserových diod pro 2.3µm Tvůrce(i) Vaněk, J. (CZ)
Brzokoupil, V. (CZ)
Chobola, Z. (CZ)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. Research Activities of Physics Departments of Civil Engineering Faculties in the Czech and Slovak Republics. - Brno : Brno University of Technology, 2004 / Pazdera L. ; Kořenská M. - ISBN 80-7204-353-6 Rozsah stran s. 184-186 Poč.str. 3 s. Akce International Workshop on Research Activities of Physics Departments of Civil Engineering Faculties in the Czech and Slovak Republics Datum konání 14.09.2004-16.09.2004 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova low frequency noise ; GaSb Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd Anotace Transport and noise characteristic of forward biased 2.3 µm CW GaSb laser diodes were measured in order to evaluate new technology. From the measurement results it follows that noise spectral density related to defects is of 1/f type and its magnitude was found to be proportional to the square of DC forward current at low injection levels Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1