Počet záznamů: 1
Role of reactive metals in Ge/Pd/GaAs contact structures
- 1.
SYSNO ASEP 0101833 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Role of reactive metals in Ge/Pd/GaAs contact structures Překlad názvu Úloha reaktivních kovů v Ge/Pd/GaAs kontaktních strukturách Tvůrce(i) Macháč, P. (CZ)
Peřina, Vratislav (UJF-V) RIDZdroj.dok. Microelectronic Engineering. - : Elsevier - ISSN 0167-9317
Roč. 65, č. 3 (2003), s. 335-343Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova gallium arsenide ; ohmic contact ; contact resistivity Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače CEP KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1048901 - UJF-V Anotace This article describes the behavior of the contact structures of the Ge/Pd type with addition of a very thin layer of a reactive metal (Ti, Ni, Cr) deposited on the surface of the GaAs plate prior to the metallization. The most suitable structure by the contact resistivity and thermal stability is Ge(40)/Pd(4)/Ti(0.5). This structure showed minimal contact resistivity 2.66 X 10(-6) Omegacm(2). During the reliability test carried out at 400 degreesC, the contact resistivity only doubled after 10 h. The RBS measurement results show little mixing between titanium and GaAs. Chromium and nickel reacted with GaAs substrate very strongly. As presumed, the deposited reactive metals reduce the natural oxides on the GaAs surface, the effect of titanium being the most significant Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1