Počet záznamů: 1
Si-substitutional defects on the .alfa.-Sn/Si(111)-(.sqrt. 3 x. sqrt. 3) surface
- 1.
SYSNO ASEP 0100708 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Si-substitutional defects on the .alfa.-Sn/Si(111)-(.sqrt. 3 x. sqrt. 3) surface Překlad názvu Si-substituční defekt na Sn/Si(111)-(.sqrt. 3 x .sqrt. 3) povrchu Tvůrce(i) Kaminski, W. (PL)
Jelínek, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Pérez, R. (ES)
Flores, F. (ES)
Ortega, J. (ES)Zdroj.dok. Applied Surface Science. - : Elsevier - ISSN 0169-4332
Roč. 234, - (2004), s. 286-291Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova first principles DFT ; local- orbital method ; Sn/Si(111) surface Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace We use a first-principle DFT local-orbital method and analyze Si-defects on a large Sn/Si(111) surface unit-cell, corresponding to a defect concentration as low as 3.7% Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1