Počet záznamů: 1
Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy
- 1.
SYSNO 0100050 Název Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy Překlad názvu Vliv rychlosti růstu na transport náboje v homogenních přechodech z GaSb připravených epitaxí z organokovů Tvůrce(i) Kindl, Dobroslav (FZU-D) RID
Toušková, J. (CZ)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Šimeček, Tomislav (FZU-D)
Jurka, Vlastimil (FZU-D) RID, ORCID
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Mareš, Jiří J. (FZU-D) RID, ORCID
Krištofik, Jozef (FZU-D) RIDZdroj.dok. Journal of Applied Physics. Roč. 95, č. 4 (2004), s. 1811-1815. - : AIP Publishing Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd GA202/03/0410 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA1010404 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova GaSb * p-n homojunction * charge transport * native defects Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0007557
Počet záznamů: 1