Počet záznamů: 1
Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy
- 1.
SYSNO ASEP 0100050 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy Překlad názvu Vliv rychlosti růstu na transport náboje v homogenních přechodech z GaSb připravených epitaxí z organokovů Tvůrce(i) Kindl, Dobroslav (FZU-D) RID
Toušková, J. (CZ)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Šimeček, Tomislav (FZU-D)
Jurka, Vlastimil (FZU-D) RID, ORCID
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Mareš, Jiří J. (FZU-D) RID, ORCID
Krištofik, Jozef (FZU-D) RIDZdroj.dok. Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing - ISSN 0021-8979
Roč. 95, č. 4 (2004), s. 1811-1815Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova GaSb ; p-n homojunction ; charge transport ; native defects Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd GA202/03/0410 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA1010404 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Current-voltage characteristics of GaSb p-n homojunctions prepared by MOVPE were measured in wide temperature range. It was shown that the charge transport is strongly affected by the growth rate of GaSb epitaxial layers Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1