Počet záznamů: 1
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures
- 1.
SYSNO ASEP 0100043 Druh ASEP K - Konferenční příspěvek (lokální konf.) Zařazení RIV Stať ve sborníku Název Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures Překlad názvu Lasery s napjatými tenkými InAs vrstvami v GaAs - elektroluminiscence a fotoabsorpce při zvýšených teplotách Tvůrce(i) Mačkal, Adam (FZU-D)
Hazdra, P. (CZ)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Melichar, Karel (FZU-D)Zdroj.dok. Workshop 2003. - Praha : ČVUT, 2003
s. 446-447Poč.str. 2 s. Akce Workshop 2003 Datum konání 10.02.2003-12.02.2003 Místo konání Praha Země CZ - Česká republika Typ akce CST Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova quantum well ; InAs ; GaAs ; electroluminescence ; photoabsorption ; elevated temperature Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010318 GA AV ČR - Akademie věd CEZ MSM 212300014 Anotace Electro-optical characterisation of semiconductor lasers with very thin strained InAs layers in GaAs. The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current and capability to operate at elevated temperatures Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1