Počet záznamů: 1
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures
SYS 0100043 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20200403112927.8 101 0-
$a eng 102 $a CZ 200 1-
$a Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures 215 $a 2 s. 463 -1
$1 200 1 $a Workshop 2003 $v s. 446-447 $1 210 $a Praha $c ČVUT $d 2003 541 $a Lasery s napjatými tenkými InAs vrstvami v GaAs - elektroluminiscence a fotoabsorpce při zvýšených teplotách $z cze 610 1-
$a quantum well 610 1-
$a InAs 610 1-
$a GaAs 610 1-
$a electroluminescence 610 1-
$a photoabsorption 610 1-
$a elevated temperature 700 -1
$a Mačkal $b Adam $p FZU-D $4 070 $3 cav_un_auth*0100364 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$a Hazdra $b P. $y CZ $4 070 $3 cav_un_auth*0015168 701 -1
$a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $3 cav_un_auth*0100250 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $3 cav_un_auth*0100432 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$a Melichar $b Karel $p FZU-D $4 070 $3 cav_un_auth*0100384 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1