Počet záznamů: 1
Abrupt InAs/GaAs heterojunctions and very thin quantum wells grown by MOVPE
- 1.
SYSNO 0026669 Název Abrupt InAs/GaAs heterojunctions and very thin quantum wells grown by MOVPE Překlad názvu Strmé InAs/GaAs heteropřechody a velmi tenké kvantové jámy vypěstované pomocí MOVPE Tvůrce(i) Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pacherová, Oliva (FZU-D) RID, ORCID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Šimeček, Tomislav (FZU-D)
Melichar, Karel (FZU-D)
Petříček, Otto (FZU-D) RID
Chráska, T. (CZ)
Holý, V. (CZ)
Vávra, I. (SK)
Ouattara, L. (SE)Zdroj.dok. NANO ´04. s. 278-281. - Brno : Brno University of Technology, 2004 / Šandera P. Konference NANO ´04 International Conference, Brno, 13.10.2004-15.10.2004 Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) Grant GP202/02/D069 GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika GA202/03/0413 GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika IAA1010318 GA AV ČR - Akademie věd, CZ - Česká republika KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd, CZ - Česká republika CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Jazyk dok. eng Země vyd. CZ Klíč.slova semiconductor laser * quantum well * GaAs * InAs * XSTM * TEM * X-ray diffraction Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0116879
Počet záznamů: 1