0024781 - ÚFM 2006 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Jacques, A. - Legros, M. - Kruml, Tomáš - George, A.
Cyclic deformation of silicon single crystals: correlation between dislocation microstructure and mechanical behaviour during linear hardening.
[Cyklická deformace monokrystalického křemíku: korelace mezi dislokační mikrostrukturou a mechanickým chováním během lineárního zpevnění.]
Physica Status Solidi C. Roč. 6, č. 2 (2005), s. 1992-1997. ISSN 1610-1634.
[Extended Defects in Semiconductors (EDS2004) /10./. Chernogolovka, 11.09.2004–17.09.2004]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2041904
Klíčová slova: fatigue * silicon single crystal * dislocation microstructure
Kód oboru RIV: JL - Únava materiálu a lomová mechanika

A model is proposed to describe cyclic deformation of Si single crystals during the stage of linear hardening observed before stress saturation. The model considers the observed microstructure, internal stresses and dislocation mobility. Assuming a reasonable distribution of edge dislocation segments, the model satisfactorily describes the shape of stress-strain cycles.

Je navržen model, který popisuje cyklickou deformaci monokrystalu Si během stádia lineárního zpevnění, pozorovaného před saturací napětí. Model bere v úvahu pozorovanou mikrostrukturu, vnitřní napětí a dislokační mobilitu. Za předpokladu rozumého rozdělení hranových dislokačních segmentů, model uspokojivě popisuje tvar cyklů napětí - deformace.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0115272