Počet záznamů: 1  

Origin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE

  1. SYS0303955
    LBL
      
    00000nam^^22^^^^^^^^450
    005
      
    20240103180941.6
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a GB
    200
    1-
    $a Origin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE
    215
      
    $a 8 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0257590 $1 011 $a 0268-1242 $e 1361-6641 $1 200 1 $a Semiconductor Science and Technology $v Roč. 17, č. 1 (2002), s. 39-46 $1 210 $c Institute of Physics Publishing
    610
    1-
    $a photoluminescence
    610
    1-
    $a silicon
    610
    1-
    $a epitaxial growth
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0099914 $a Agert $b C. $y DE $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0101660 $a Gladkov $b Petar $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0099915 $a Bett $b A. W. $y DE $4 070

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.