Počet záznamů: 1
Role of ç-elements in the growth of InP layers for radiation detectors
- 1.
SYSNO ASEP 0303799 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV M - Uspořádání konference Poddruh J Ostatní články Název Role of ç-elements in the growth of InP layers for radiation detectors Tvůrce(i) Procházková, Olga (URE-Y)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Žďánský, Karel (URE-Y)Zdroj.dok. Crystal Research and Technology - ISSN 0232-1300
Roč. 36, 8/10 (2001), s. 979-987Poč.str. 9 s. Akce Polish Conference on Crystal Growth /PCCG 6./ Druh akce K - Konference Datum konání 20.05.2001-23.05.2001 Místo konání Poznan Země PL - Polsko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova liquid phase epitaxial growth ; rare earth metals ; semiconductor materials Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Anotace We report the effect of ç-elements (Er, Ho, Nd, Pr, Tb and Yb) during the LPE on the growth process and structural, electrical and optical properties of InP thick epitaxial layers for applications in ionizing radiation detector structures. Room temperature Hall effect measurements revealed p-type conductivity Tb, Pr or Yb admixture exceeding certain limiting concentration. These layers could readily be used for the preparation of ŕ-particles detector, when detection will be mediated via the depletion layer of high quality Schottky contact. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2002
Počet záznamů: 1