Počet záznamů: 1
InAs quantum dots in GaAs. Technology and luminescence properties
- 1.
SYSNO ASEP 0131651 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název InAs quantum dots in GaAs. Technology and luminescence properties Tvůrce(i) Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Melichar, Karel (FZU-D)
Šimeček, Tomislav (FZU-D)
Janda, Pavel (UFCH-W) RID, ORCIDISBN 0-7923-5013-8 Zdroj.dok. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices, High Technology. / Novák J.. - Dodrecht : Kluwer Academic Publishers, 1998 Rozsah stran s. 207-210 Akce International Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices Datum konání 12.10.1997-16.10.1997 Země SK - Slovensko Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Vědní obor RIV CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie CEP GA102/96/1703 GA ČR - Grantová agentura ČR GA202/95/0194 GA ČR - Grantová agentura ČR GA203/96/1090 GA ČR - Grantová agentura ČR Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 1999
Počet záznamů: 1