Počet záznamů: 1
Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM?
- 1.
SYSNO 0100007 Název Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM? Překlad názvu Proč jsou různě dopované oblasti v polovodiči viditelné v nízko-napěťovém REM? Tvůrce(i) El Gomati, M. M. (GB)
Wells, T. C. R. (GB)
Müllerová, Ilona (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Jayakody, H. (GB)Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Roč. 51, č. 2 (2004), s. 288-292 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant IAA1065304 GA AV ČR - Akademie věd Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova doping of semiconductors * SEM imaging * inspection of patterns Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0007514
Počet záznamů: 1