Model for the boron-doping dependence of the critical temperature of superconducting boron-doped diamond

0331690 - FZÚ 2010 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Šopík, Břetislav
Model for the boron-doping dependence of the critical temperature of superconducting boron-doped diamond.
[Model závislosti kritické teploty na míře neuspořádanosti u supravodivého bórem dopovaného diamantu.]
New Journal of Physics. Roč. 11, č. 10 (2009), 103026/1-103026/10. ISSN 1367-2630. E-ISSN 1367-2630
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100712
Grant ostatní: GAČR(CZ) GA202/07/0597
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: superconductivity * boron-doped diamond
Kód oboru RIV: BE - Teoretická fyzika
Impakt faktor: 3.312, rok: 2009

Study of the concentration dependence of the superconducting critical temperature Tc in a boron-doped diamond. The simplified Belitz theory is used and the density of states at Fermi level is evaluated within the dynamical cluster approximation.

Studie závislosti kritické teploty Tc supravodivého přechodu na koncentraci příměsí v bórem dopovaném diamantu. V modelu je použita Belitzova teorie, hustota stavů na Fermiho mezi N0 je spočtena pomocí dynamical cluster approximation.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0177140