Počet záznamů: 1  

Point defects generation during surface reconstruction of GaAs

  1. 1.
    0303471 - URE-Y 990125 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Nohavica, Dušan
    Point defects generation during surface reconstruction of GaAs.
    [STU]: [Bratislava], 1999. In: DMS-RE'99 Development of Materials Science in Research and Education. - (Koman, M.; Mikloš, D.), s. 53-54
    [Joint Seminar on Development of Materials Science in Research and Educations - DMS-RE'99 /9./. Gabčíkovo (SK), 14.09.1999-17.09.1999]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA2067901
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
    Klíčová slova: epitaxial growth * surface reconstruction
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113686

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.