Počet záznamů: 1  

Uširenije linii generacii v perestraivajemych tokom lazerach na osnove geterostruktur InAsSbP/InAsSb/InAsSbP

  1. 1.
    0180967 - UFCH-W 20000165 RIV RU rus J - Článek v odborném periodiku
    Imenkov, A. N. - Kolčanova, N. M. - Kubát, Pavel - Civiš, Svatopluk - Jakovlev, J. P.
    Uširenije linii generacii v perestraivajemych tokom lazerach na osnove geterostruktur InAsSbP/InAsSb/InAsSbP.
    [The Expansion of Line-width of Tunable Lasers on Basis of InAsSbP/InAsSb/InAsSbP Heterostructures.]
    Fizika i technika poluprovodnikov. Roč. 34, č. 12 (2000), s. 72-75. ISSN 0015-3222
    Grant CEP: GA AV ČR IAA4040708
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z4040901; CEZ:A54/98:Z4-040-9-ii
    Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

    Izucena tokovaja zavisimost siriny linni izlucenija perestraivajemych lazernych diodov na osnove dvojnoj geterostruktury InAsSbP/InAsSb/InAsSbP, rabotajuscich v spektralnom diapazone 3.3-3.4 MKM v integrale temperatur 50-80K.

    A new method was used to measure the width of emission lines of a new type of semiconductor laser with composition InAsSb/InAsSbP. Parameters used for calculation of spectral emission linewidths were obtained using selected rotation-vibration lines
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0077581

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.