Paměťový prvek pro uložení n-bitového kódu a způsob vytvoření tohoto kódu.

0504859 - ÚCHP 2021 RIV cze P - Patentový dokument
Veselý, M. - Dzik, P. - Klusoň, Petr - Morozová, Magdalena - Kubáč, L. - Akrman, J.
Paměťový prvek pro uložení n-bitového kódu a způsob vytvoření tohoto kódu.
[A memory item for storing the n-bit code and a method for generating the code.]
2020. Vlastník: Ústav chemických procesů AV ČR, v. v. i. - Centrum organické chemie - Vysoké učení technické v Brně. Datum udělení patentu: 19.02.2020. Číslo patentu: 308265
Grant CEP: GA MV VI20162019037
Institucionální podpora: RVO:67985858
Klíčová slova: n-bit code * electrodes * UV radiation
Obor OECD: Chemical process engineering
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308265.pdf

Paměťový prvek (1) pro uložení n-bitového kódu pro n ≥ 2 je tvořený fotochemickým článkem (2), kde fotochemický článek (2) zahrnuje nosný podklad (3), na kterém je uspořádána soustava elektrod (6, 7, 8) obklopená gelovým elektrolytem (4). Soustava elektrod (6, 7, 8) je tvořena tiskovou vrstvou na nosném podkladu a každá z elektrod (6, 7, 8) je opatřena výstupním kontaktem (5) vyvedeným na povrch nosného podkladu (3). Soustava elektrod (6, 7, 8) zahrnuje jednu společnou katodu (6), jednu referenční fotoanodu (7) opatřenou polovodičovou vrstvou (9) tvořenou tiskovou vrstvou uspořádanou na povrchu referenční fotoanody (7) a generující po dopadu UV záření výstupní fotoproud Ir, a alespoň jednu měřicí fotoanodu (8) opatřenou polovodičovou vrstvou (9´) tvořenou tiskovou vrstvou uspořádanou na povrchu měřicí fotoanody (8) a generující po dopadu UV záření výstupní fotoproud Im pro který platí Ir ≥ Im. Hodnoty výstupních fotoproudů Im tvoří n-bitový kód generovaný paměťovým prvkem (1).

The memory item (1) for storing the n-bit code for n ≥ 2 comprises a photochemical cell (2), the photochemical cell (2) includes a support substrate (3) on which an electrode array (6, 7, 8) is surrounded gel electrolyte (4). The electrodes (6, 7, 8) are formed by a printing layer on the support substrate and each of the electrodes (6, 7, 8) has an output contact (5) led to the surface of the bearing base (3). The electrodes (6, 7, 8) include one common cathode (6), one reference photoanode (7) with a semiconductor layer (9) formed by a printing layer on the surface of the reference photoanode (7) and generating an output photocurrent Ir after impact of UV radiation and at least one measurement photoanode (8) with a semiconductor layer (9 ') formed by a printing layer on the surface of the measurement photoanode (8) and generating a photocurrent Im upon which Ir ≥ Im is applied after UV radiation. The values of the output photocurrent Im form the n-bit code generated by the memory element (1).
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0306852