Ovrstvení Si desek tlustou vrstvou rezistu a kontrola vrstvy

0478403 - ÚPT 2018 RIV CZ cze Z - Poloprovoz, ověřená technologie, odrůda/plemeno
Chlumská, Jana - Matějka, Milan - Kolařík, Vladimír
Ovrstvení Si desek tlustou vrstvou rezistu a kontrola vrstvy.
[Thick layer coating on Si wafers and the control of the layer.]
Interní kód: APL-2017-02 ; 2017
Technické parametry: Vrstvy rezistu se nanáší na křemíkové podložky průměru 4-6 palců. Nominální tloušťka vrstev je 10 mikronů. Technologie vyžaduje čistou laboratoř s třídou čistoty 1000 nebo lepší.
Ekonomické parametry: Ověřená technologie realizovaná při řešení grantů, využívaná příjemcem při vývoji planárních mikrostruktur v rámci projektu FV10618 a v rámci smluvního výzkumu. Kontakt: Ing. Miroslav Horáček, Ph.D., mih@isibrno.cz
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1212; GA MŠMT ED0017/01/01
Institucionální podpora: RVO:68081731
Klíčová slova: e-beam lithography * PMMA rezist * thick layers * spin coating
Obor OECD: Materials engineering

Technologie pro ovrstvení křemíkových desek plátku s tlustou vrstvou rezistu zahrnuje pět technologických operací.

Technology for the coating of silicon wafer with a thick layer of resist inscludes five technological operations.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0274516