Počet záznamů: 1  

Vícetryskový PVD depoziční systém

  1. 1.
    0465021 - FZU-D 2017 RIV CZ cze L - Prototyp, funkční vzorek
    Šmíd, Jiří - Olejníček, Jiří - Hubička, Zdeněk - Čada, Martin
    Vícetryskový PVD depoziční systém.
    [Multijet PVD deposition system.]
    Interní kód: UHV-4DK/FZU2016 ; 2016
    Technické parametry: Výsledek je tvořen UHV systémem čerpaným rotační a turbomolekulární vývěvou a obsahuje 4 lineární plazmové trysky pracující na principu výboje v duté katodě. Systém je průběžně upgradován. Ve spouštěcí konfi-guraci měl následující technické parametry: mezní tlak p0: 1x10-3 Pa, pracovní tlak pw: 0.1 – 100 Pa, maximální napětí na zdroji: Um: 600 V, maximální výbojový proud: Im: 5 A, příčný rozměr substrátu lm: až 20 cm, maximální depoziční rychlost dosažená pro TiO2 vrstvy rm: 20 μm/hod.
    Ekonomické parametry: Vyvinutý depoziční systém umožňuje vysokorychlostní depozici homogenních oxidových vrstev. Oproti dostupným komerčním magnetronovým systémům dosahuje v DC režimu až desetinásobnou depoziční rychlost.
    Grant CEP: GA TA ČR(CZ) TF01000084
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: hollow cathode discharge * multi plasma-jet * thin films * PVD * sputtering
    Kód oboru RIV: BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech

    Funkční vzorek představuje vysokorychlostní depoziční zařízení určené primárně pro nanášení homogenních oxidových vrstev. Systém využívá několik plazmatických trysek umístěných do jedné řady, které pracují na principu výboje v duté katodě. Vysoké depoziční rychlosti je dosahováno kombinací nereaktivního rozprašování ve vnitřním prostoru duté katody a tepelnou evaporací materiálu z povrchu trysky.

    High speed deposition system for homogenous sputtering of oxide thin films. The system uses several plasma-nozzles mounted in one line, which work on the principle of hollow cathode discharge. High speed of deposition process is achieved by combination of non-reactive sputtering inside the hollow cathode with thermal evaporation of hollow cathode material.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0263763