Počet záznamů: 1  

SiC graphene FET with polydimethylglutharimide as a gate dielectric layer

  1. 1.
    0440959 - FZÚ 2015 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Náhlík, J. - Šobáň, Zbyněk - Voves, J. - Jurka, Vlastimil - Vašek, Petr
    SiC graphene FET with polydimethylglutharimide as a gate dielectric layer.
    ASDAM 2014- Conference Proceedings: The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Bratislava: Slovak University of Technology, 2014 - (Breza, J.; Donoval, D.; Vavrinsky, E.), s. 33-36. ISBN 978-1-4799-5474-2.
    [International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /10./. Smolenice (SK), 20.10.2014-22.10.2014]
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GAP108/11/0894
    Institucionální podpora: RVO:68378271
    Klíčová slova: FET * SiC * graphene
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

    We present our results of using MicroChem Lift-Off Resist (LOR) layer as a dielectric layer for SiC graphene FETs. LOR resist is based on polydimethylglutharimide. Its unique properties enable to perform exceptionally well resolution imaging, easy process tuning, high yields and superior deposition line width control.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0244030

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.