Způsob přípravy orientovaných tenkých vrstev hexagonálních feritů

0439474 - ÚACH 2016 RIV cze P - Patentový dokument
Buršík, Josef - Kužel, R.
Způsob přípravy orientovaných tenkých vrstev hexagonálních feritů.
[Process for preparing oriented thin layers of hexagonal ferrites.]
2014. Vlastník: Ústav anorganické chemie AV ČR, v. v. i. - Univerzita Karlova v Praze, Matematicko-fyzikální fakulta. Datum udělení patentu: 01.10.2014. Číslo patentu: 304813
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA14-18392S
Institucionální podpora: RVO:61388980
Klíčová slova: hexagonal ferrites * thin films * seeding growth
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304813.pdf

Způsob přípravy orientovaných tenkých vrstev hexagonálních feritů typu Y na monokrystalických podložkách metodou depozice z kapalné fáze použitím solů, prekurzorů na bázi anorganických solí, solí organických kyselin, nebo alkoxidů ve vhodném rozpouštědle, kdy se před nanesením a krystalizací vrstvy hexagonálního feritu typu Y nanese na podložku SrTiO3(111) zárodečná vrstva hexagonálního feritu typu M o definované tloušťce, která řízenou krystalizací za daných podmínek teploty, času a rychlosti ohřevu prochází transformací z kontinuální vrstvy ve vrstvu diskontinuální, tvořenou navzájem izolovanými ostrůvky krystalické povahy, majícími epitaxní vztah ke struktuře podložky. Díky chemické podobnosti M fáze a feritové fáze Y a díky strukturní podobnosti M fáze a feritové fáze Y je umožněn vznik orientované vrstvy hexagonálního feritu typu Y.

In the present invention, there is disclosed a Process for preparing oriented thin layers of hexagonal ferrites of the type Y on monocrystalline substrates using the deposition method from a liquid phase by making use of sols, precursors based on inorganic salts, salts of organic acids or alkoxides in a suitable solvent, where a germ layer of type M hexagonal ferrite of a defined thickness is applied to the SrTiOi3(111) substrate prior application and crystallization of the type Y hexagonal ferrite layer. This germ layer of type M hexagonal ferrite transforms under the given temperature, time and rate conditions from a continuous layer to a discontinuous layer formed by islands of crystal nature having epitaxial relationship to the substrate structure. Thanks to chemical similarity of the M ferrite phase and the Y ferrite phase and thanks to the structure similarity of the M ferrite phase and the Y ferrite phase, formation of an oriented layer of type Y hexagonal ferrite is enabled.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0243184