Tenké vrstvy ZnO připravené pomocí vícetryskového SWD plazmového systému

0427270 - FZÚ 2015 RIV CZ cze J - Článek v odborném periodiku
Kohout, Michal - Olejníček, Jiří - Šmíd, Jiří - Čada, Martin - Kment, Š. - Kšírová, Petra - Brunclíková, Michaela - Hubička, Zdeněk
Tenké vrstvy ZnO připravené pomocí vícetryskového SWD plazmového systému.
[ZnO thin films prepared by multi SWD plasma jet system.]
Jemná mechanika a optika. Roč. 59, č. 2 (2014), s. 38-42. ISSN 0447-6441
Grant CEP: GA TA ČR TA01011740; GA MŠMT LH12045
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: ZnO * surfatron * thin films * Langmuir probe * plasma density
Kód oboru RIV: BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech

V článku je popsána vícesvazková plazmová aparatura se čtyřmi nezávislými tryskami pracujícími na principu výboje generovaného surfatronem. Tento unikátní systém byl následně optimalizován pro depozice metodou plazmochemického napařování a použit pro přípravu ZnO tenkých vrstev a ZnO vrstev dopovaných hliníkem či manganem. Pomocí Langmuirovy sondy byly studovány časově rozlišené vlastnosti nízkotlakého plazmového svazku pracujícího v pulzním módu za účelem zjištění hustoty plazmatu a elektronové teploty v aktivní části plazmového kanálu. Následně byla připravena sada ZnO vzorků o tloušťce 300 nm, které byly analyzovány pomocí rentgenové difrakce, elektronové mikroskopie, povrchové profilometrie, UV světelné amperometrie, optické elipsometrie a dalších metod. Všechny zkoumané vzorky byly krystalické, vykazovaly vodivost typu N s šířkou zakázaného pásu 3.5 eV a byly fotoelektrochemicky aktivní.

In this paper we deal with multi plasma jet system with 4 independent nozzles working on the principle of surfatron generated discharge. Developed system was optimized for plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of ZnO thin films and ZnO films doped by aluminum and manganese. Time-resolved measurement of plasma parameters of low pressure deposition process in pulse mode was performed in order to estimate plasma density and electron temperature in the active part of plasma channel. Consequently the set of ZnO thin films with thickness 300 nm was prepared and analyzed by XRD, SEM, EDX, surface profilometry, UV-light amperometry and optical ellipsometry. All samples under study were crystalline in nature, revealed N-type conductivity with band gap 3.5 eV and were photo-electrochemicaly active.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0232854