Žíhání polykrystalických tenkovrstvých křemíkových solárních článků ve vodní páře za sníženého tlaku

0425201 - FZÚ 2014 CZ cze A - Abstrakt
Pikna, Peter - Fejfar, Antonín - Píč, Vlastimil - Müller, Martin - Ledinský, Martin - Kočka, Jan
Žíhání polykrystalických tenkovrstvých křemíkových solárních článků ve vodní páře za sníženého tlaku.
[Annealing of polycrystalline thin film silicon solar cells in water vapour at pressures below atmospheric pressure.]
Sborník 8. české fotovoltaické konference. Rožnov pod Radhoštěm: Czech RE Agency, o.p.s, 2013.
[Česká fotovoltaická konference /8./. 14.05.2013-15.05.2013, Brno]
Grant CEP: GA MPO FR-TI2/736; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Grant ostatní: AVČR(CZ) M100101216
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: passivation * water vapour * polycrystalline thin film silicon * multicrystalline silicon * Suns-Voc
Kód oboru RIV: JE - Nejaderná energetika, spotřeba a využití energie

Tenkovrstvé polykrystalické křemíkové (poly-Si) solární články byly žíhány ve vodní páře za tlaku nižšího, než je atmosférický. Vzorek byl kontaktován měřícími hroty přímo v tlakové nádobě. Suns-Voc metodou a synchronním detektorem byl sledován účinek vodní páry na článek v průběhu celého pasivačního procesu (in-situ). Teplota vzorku byla konstantní v průběhu celého procesu, od 55°C do 110°C, čemuž odpovídá nižší Voc, než za pokojové teploty. Nicméně, napěťová odezva solárního článku na měnící se intenzitu světla při měření byla dobře pozorovatelná. Bylo provedeno srovnání teplotní závislosti Voc multikrystalického a polykrystalického křemíkového solárního článku. Ve výše zmíněném teplotním intervalu nebylo zatím pozorováno výraznější zlepšení parametrů solárních článků účinkem vodní páry.

Thin film polycrystalline silicon (poly-Si) solar cells were annealed in water vapour at pressures below atmospheric pressure. PN junction of the sample was contacted by measuring probes directly in a pressure chamber. Suns-Voc method and a lock-in detector were used to monitor an effect of water vapour to the solar cell during whole passivation process (in-situ). Temperature of the sample was constant during the procedure, from 55°C to 110°C, what corresponds with open-circuit voltage lower than at room temperature. Nevertheless, voltage response of the solar cell to the light flash used during Suns-Voc measurement was good observable. Comparison of temperature dependence for multicrystalline wafer-based and polycrystalline thin film solar cells was performed. No significant improvement of thin film poly-Si solar cell parameters by annealing in water vapour was observed up to now.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0231108