Pasivace poly-Si tenkovrstvých solárních článků ve vodní páře

0391045 - FZÚ 2013 RIV CZ cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Pikna, Peter - Fejfar, Antonín
Pasivace poly-Si tenkovrstvých solárních článků ve vodní páře.
[Annealing of thin film polycrystalline silicon solar cells in water vapour.]
Proceedings of the 7th Czech Photovoltaic Conference. Rožnov pod Radhoštěm: Czech RE Agency, 2012. ISBN 978-80-260-2232-9.
[Czech Photovoltaic Conference /7./. Brno (CZ), 03.05.2012-04.05.2012]
GRANT EU: European Commission(XE) 240826 - PolySiMode
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: thin film * solar cell * polycrystalline silicon * water vapour * grain boundary * Suns-Voc
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Vzorky polykrystalických křemíkových (poly-Si) solárních článků vyrobené firmou CSG Solar byly pasivovány ve vodní páře. Solární články po pasivaci připomínaly svým vzhledem články leptané ve směsi kyselin běžně používané na odstranění vrchní p+ vrstvy pro kontaktování spodní n+ vrstvy. Ačkoliv nebylo pozorováno výraznější zlepšení napětí naprázdno Voc, leptací efekt poly-Si ve vodě může stanovit horní hranice teploty, tlaku a doby vhodné pro pasivaci s minimálním negativním dopadem na článek. V neposlední řadě je prezentován také inovativní způsob kontaktování spodní n+ vrstvy na skle pro měření volt-ampérových charakteristik Suns-Voc metodou.

Samples of thin film polycrystalline silicon solar cells prepared by the Company CSG Solar AG were treated in water vapour. Appearance of treated solar cells was very similar to samples etched in a solution of acids, which is commonly used to approach the bottom part of pn junction. No significant improvement of measured open-circuit voltage Voc was observed, but the etching effect of water vapour can determine the upper limit of temperature, pressure and treatment time for water vapour passivation. Novel approach for preparation of a depth profile to approach the bottom part of pn junction is proposed.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219891