High-Power Laser Diode Array System for Optical Pumping of Rb

0316537 - ÚPT 2009 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Buchta, Zdeněk - Číp, Ondřej - Rychnovský, Jan - Lazar, Josef
High-Power Laser Diode Array System for Optical Pumping of Rb.
[Výkonný polovodičový laser pro optické čerpání atomů rubidia.]
Photonics, Devices, and Systems IV. (Proceedings of SPIE Vol. 7138). Bellingham: SPIE, 2008, 71380E: 1-7. ISBN 978-0-8194-7379-0. ISSN 0277-786X.
[Photonics Prague 2008 - International Conference on Photonics, Devices and Systems /6./. Prague (CZ), 27.08.2008-29.08.2008]
Grant CEP: GA AV ČR IAA200650504; GA MŠMT(CZ) LC06007; GA MŠMT 2C06012; GA AV ČR IAA1065303; GA ČR GA102/04/2109
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: laser diode array * linewidth * optical pumping * spectroscopy
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery

We describe in this paper an experimental arrangement for optical pumping of rubidium based on a high-power laser diode array. The emission spectrum of the array was narrowed by external injection locking technique by means of cw Ti:Sa resp. an extended cavity laser (ECL) based on a high-power laser diode. The array emission spectrum was reduced with the aim to achieve maximum efficiency of the Rb optical pumping process. By way of the external injection locking technique, the power spectral density at the desired wavelength 794.76 nm was increased about 9 times. The laser system was designed to be a crucial part of the HpXe (hyperpolarized xenon) production process.

Článek popisuje experimentální verzi systému založeném na výkonovém diodovém poli. Tento systém je navržen a optimalizován pro optické čerpání atomů rubidia. Emisní spektrum diodového pole je zúženo pomocí externího Ti:Sa. Publikována je i varianta zúžení pomocí externího ECL laseru. Uvedeným zúůsobem se podařilo dosáhnout zvýšení spektrální výkonové hustoty na vlnové délce 794.76 nm na devítinásobek.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0166432