Počet záznamů: 1  

Lithographically and electrically controlled strain effects on AMR in (Ga,Mn)As

  1. 1.
    0312859 - FZÚ 2009 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    De Ranieri, E. - Rushforth, A.W. - Výborný, Karel - Rana, U. - Ahmad, E. - Campion, R. P. - Foxon, C. T. - Gallagher, B. L. - Irvine, A.C. - Wunderlich, J. - Jungwirth, Tomáš
    Lithographically and electrically controlled strain effects on AMR in (Ga,Mn)As.
    [Litograficky a elektricky ovladane vlivy mechanickych deformaci na AMR v (Ga,Mn)As.]
    New Journal of Physics. Roč. 10, č. 6 (2008), 065003/1-065003/19. ISSN 1367-2630. E-ISSN 1367-2630
    Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KJB100100802; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: anomalous Hall effect * Keldysh formalism * Rashba system
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.440, rok: 2008
    DOI: https://doi.org/10.1088/1367-2630/10/6/065003

    We demonstrate experimentally that lithographically or electrically induced strain variations can produce crystalline AMR components which are larger than the crystalline AMR and a significant fraction of the total AMR of the unprocessed (Ga,Mn)As material. Complete phenomenological AMR expressions are derived and new higher order terms are reported in experiments.

    Experimentálně je ukázáno, ze litograficky nebo elektricky ovládané mechanické deformace v (Ga,Mn)As dávají vzniknout velmi silným krystalickým komponentám AMR. Jsou odvozeny úplné fenomenologické vzorce pro AMR.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0163813
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.