0312592 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Honda, Shinya - Mates, Tomáš - Rezek, Bohuslav - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
Microscopic study of the H₂O vapor treatment of the silicon grain boundaries.
[Mikroskopická studie ošetřování hranic zrn v křemíku vodní parou.]
Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 354, č. 19-25 (2008), s. 2310-2313. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA AV ČR KAN400100701; GA ČR(CZ) GD202/05/H003; GA AV ČR IAA1010316; GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010413; GA AV ČR KJB100100512; GA MŽP(CZ) SN/3/172/05
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: polycrystalline silicon films * H₂O vapor treatment * potential * crystalline disorder * stress * defects * passivation
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.449, rok: 2008
DOI: https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2007.09.107

Annealing in H₂O vapor lead to passivation of polycrystalline silicon grain boundaries. Mechanism was studied by Kelvin force microscopy and micro-Raman spectroscopy.

Žíhání ve vodní páře vedlo k pasivaci hranic zrn v polykrystalickém křemíku. Mechanismus byl studován Kelvinovskou mikroskopií a mikro-Ramanovskou spektroskopií.

Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0163616