Počet záznamů: 1  

Surface Point Defects in Silicon Related Nanopowders Produced by Pulsed Laser Ablation: IR Evidence of Peroxy Radical SiOO(.)

  1. 1.
    0312463 - ÚCHP 2009 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Dřínek, Vladislav - Vacek, Karel
    Surface Point Defects in Silicon Related Nanopowders Produced by Pulsed Laser Ablation: IR Evidence of Peroxy Radical SiOO(.).
    [Povrchové bodové defekty v nanopráškách obsahující křemík připravené pomocí pulsní laserové ablace: IR důkaz peroxy radikálu SiOO(.).]
    Proceedings. Praha: ČSNMT, 2008, s. 117-122. ISBN 80-214-3331-0.
    [International Conference Nano 06. Brno (CZ), 13.11.2006-15.11.2006]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA400720616
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z4072921
    Klíčová slova: pulser laser ablation * silicon dioxide * point defect
    Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

    We prepared nanopowder deposits with an increased concentration of certain point defects - silyl Si(.) and peroxy radical SiOO(.) using pulsed laser ablation (PLA). PLA of SiO2 target in He atmosphere (500 Pa) generates SiOO(.) species in conc. 10(20)/g and an exposure of the deposit to ozone pressured 5.10(-3) Pa in flow mode destroys SiOO(.) radical within seconds as detected by EPR and FTIR spectroscopies. In differencial FTIR spectra we observed a negative peak at 1035 cm(-1) that had the same time behaviour as EPR signal. According to literature the predicted stretching vibration in SiOO(.) is at 1080 cm(-1).

    Připravili jsme nanopráškové deposity se zvýšenou koncentrací určitých bodových depositů - silylu Si(.) a peroxy radikálu SiOO(.) pomocí pulsní laserové ablace (PLA). PLA SiO2 targetu v heliové atmosféře 500 Pa nechává generovat SiOO(.) v koncentraci 10(20)/g a expozice depositu ozonu o tlaku 5.10(-3) Pa v průtokovém režimu nechává zaniknout SiOO(.) radikál během několika vteřin jak bylo zjištěno pomocí FTIR a EPR spekter. V diferenciálním FTIR spektru byl pozorován negativní pík na 1035 cm(-1), jenž měl stejné časové chování jako EPR signál. Podle literatury předpokládaná valenční vibrace v SiOO(.) radikálu je na 1080 cm(-1).
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0163524

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.