0312428 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Voves, J. - Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Optical characterization of MOVPE grown vertically correlated InAs/GaAs quantum dots.
[Optická charakterizace vertikálně korelovaných kvantových teček vyrostlých pomocí MOVPE.]
Microelectronics Journal. Roč. 39, č. 8 (2008), s. 1070-1074. ISSN 0026-2692. E-ISSN 1879-2391
Grant CEP: GA ČR GA202/06/0718
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * photoluminescence * photomodulated reflectance * GaAs * InAs * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.859, rok: 2008

Photoluminescence in combination with photomodulated reflectance spectroscopy were applied for characterization of vertically correlated quantum dot structures. Results were also compared with numerical simulations.

Fotoluminiscence spolu s fotomodulovanou reflektanční spektroskopií byly použity pro charakterizaci vertikálně korelovaných struktur s kvantovými tečkami. Výsledky byly také porovnány s numerickými simulacemi.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0163497