Počet záznamů: 1
Multilayer planar structrues prepared from chalcogenide thin films of As-Se and Ge-Se systems and polymer thin films using thermal evaporation and spin-coating
- 1.0306868 - ÚMCH 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Kohoutek, T. - Wágner, T. - Orava, J. - Krbal, M. - Ilavský, J. - Vlček, Milan - Frumar, M.
Multilayer planar structrues prepared from chalcogenide thin films of As-Se and Ge-Se systems and polymer thin films using thermal evaporation and spin-coating.
[Multivrstvé planární struktury připravené z chalkogenidových tenkých vrstev As-Se a Ge-Se a tenkých vrstev polymeru za využití vakuového napařování a techniky spin-coating.]
Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 354, 2-9 (2008), s. 529-532. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812.
[International Conference on Physics of Non-Crystalline Solids /11./. Rhodos, 29.10.2006-02.11.2006]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40500505
Klíčová slova: 1D-Photonic Crystals
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Impakt faktor: 1.449, rok: 2008 ; AIS: 0.542, rok: 2008
DOI: https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2007.07.057
Chalcogenide films of As-Se and Ge-Se systems were deposited using a thermal evaporation method periodically alternating with spin-coated Polyamide-imide films. Optical properies of systems exhibited the high-reflection bands centered around 830nm and 1350nm, respectively.
Chalkogenidové vrstvy As-Se a Ge-Se připravené vakuovým napařováním byly periodicky střídány vrstvami polyamid-imidu připravenými technikou spin-coating. Optické vlastnosti připravených multivrstev byly určeny UV-VIS-NIR spektroskopií a elipsometrií. Oba systémy vykazují reflexní pás se středem okolo 830 a 1380 nm.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0159773
Počet záznamů: 1