0306540 - FZÚ 2008 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Suchaneck, G. - Vidyarthi, V.S. - Reibold, M. - Deyneka, Alexander - Jastrabík, Lubomír - Gerlach, G. - Hartung, J.
Large area deposition of Pb(Zr,Ti)O₃ thin films for piezoelectric MEMS.
[Velkoplošná depozice tenkých vrstev Pb(Zr,Ti)O₃ pro piezoelektrické MEMS.]
Journal of Electroceramics. Roč. 20, - (2008), s. 17-20. ISSN 1385-3449. E-ISSN 1573-8663
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100522; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: ferroelectric thin films * PZT * high resolution transmission electron microscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.990, rok: 2008 ; AIS: 0.551, rok: 2008

Pb(Zr,Ti)O₃ (PZT) thin films deposited on insulating ZrO₂ buffered silicon wafer are intended to be employed for in-plane polarized piezoelectric MEMS devices. Multi-target reactive sputtering system for large area deposition of in-situ crystallized PZT thin films and the ZrO₂ buffer layer has been employed.

Pb(Zr,Ti)O₃ (PZT) tenké vrstvy byly deponovány na křemíkové substráty s vyrovnávací vrstvou ZrO₂. Deponované struktury jsou určeny pro piezoelektrické MEMS systémy s polarizací v rovině vrstvy. Bylo použito multi-targetové depoziční zařízení pro reaktivní naprašování krystalických vrstev PZT a vyrovnávacích tenkých vrstev ZrO₂.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0159533