Počet záznamů: 1  

Annealing of radiation defects in dual-implanted silicon

  1. 1.
    0183955 - UJF-V 970059 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Kozlov, I. P. - Odzhaev, V. B. - Popok, V. N. - Hnatowicz, Vladimír
    Annealing of radiation defects in dual-implanted silicon.
    Semiconductor Science and Technology. Roč. 11, - (1996), s. 355-358. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
    Grant CEP: GA AV ČR KSK1010601
    Impakt faktor: 1.318, rok: 1996
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0080414

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.