Počet záznamů: 1
Properties of Recrystallized Amorphous Silicon Prepared by XeCl Excimer Laser Irradiation
- 1.0174076 - MU-W 950008 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Ulrych, Ivo - El-Kader, K. M. A. - Cháb, Vladimír - Kočka, Jan - Přikryl, Petr - Vydra, V. - Černý, R.
Properties of Recrystallized Amorphous Silicon Prepared by XeCl Excimer Laser Irradiation.
Proceedings of the Symposium "Semiconductor Processing and Characterization with Lasers". 1994, s. 6.
[Semiconductor Processing and Characterization with Lasers. Stuttgart (DE), 18.04.1994-20.04.1994]
Grant CEP: GA AV ČR IA11064; GA ČR IA11066; GA ČR GA202/93/2383; GA ČR GA202/94/1801; GA AV ČR IAA110433; GA AV ČR IA101433
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0071093
Počet záznamů: 1