Počet záznamů: 1  

Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electron-optical characterisation and operation at elevated temperatures

  1. 1.
    0134479 - FZU-D 20030379 RIV IT eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Mačkal, Adam - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hospodková, Alice - Šimeček, Tomislav
    Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electron-optical characterisation and operation at elevated temperatures.
    European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy /10./. Lecce: Ecotekne Congress Centre, 2003, s. 12-18. ISBN 88-8305-007-X.
    [European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (10./. Lecce (IT), 08.06.2003-11.06.2003]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010318; GA AV ČR KSK1010104
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
    Klíčová slova: strained quantum well * InAs * GaAs * electroluminescence * photoabsorption * polarization
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

    Contribution presents the electroluminescence, photoabsorption and polarisation properties of semiconductor lasers with thin strained InAs layers in GaAs at elevated temperatures (above 25 o C). The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current density and wide temperatures operation range.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032380

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.