0134412 - FZU-D 20030312 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Rezek, Bohuslav - Mates, Tomáš - Stuchlík, Jiří - Kočka, Jan - Stemmer, A.
Charge storage in undoped hydrogenated amorphous silicon by ambient atomic force microscopy.
Applied Physics Letters. Roč. 83, č. 9 (2003), s. 1764-1766. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: hydrogenated amorphous silicon * atomic force microscopy * Kelvin probe microscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 4.049, rok: 2003

Charge storage in undoped hydrogenated amorphous silicon by ambient atomic force microscopy.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032315