Počet záznamů: 1  

Charge storage in undoped hydrogenated amorphous silicon by ambient atomic force microscopy

  1. 1.
    0134412 - FZU-D 20030312 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Rezek, Bohuslav - Mates, Tomáš - Stuchlík, Jiří - Kočka, Jan - Stemmer, A.
    Charge storage in undoped hydrogenated amorphous silicon by ambient atomic force microscopy.
    Applied Physics Letters. Roč. 83, č. 9 (2003), s. 1764-1766. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: hydrogenated amorphous silicon * atomic force microscopy * Kelvin probe microscopy
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 4.049, rok: 2003

    Charge storage in undoped hydrogenated amorphous silicon by ambient atomic force microscopy.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032315

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.