0134364 - FZU-D 20030262 RIV HU eng J - Článek v odborném periodiku
Štěpánek, Bedřich - Šesták, Jaroslav - Mareš, Jiří J. - Šestáková, Věra
Thermal conditions of growth and the necking evolution of Si, GaSb and GaAs. Glide phenomenon in the GaSb bowl.
Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. Roč. 72, - (2003), s. 165-172. ISSN 1388-6150. E-ISSN 1588-2926
Grant CEP: GA AV ČR IAA4010101; GA AV ČR IAA1010806
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM230000009
Klíčová slova: doping gallium antimonide * low dislocation density * single crystal growth
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.094, rok: 2003

A new mechnaism for dislocation elimination during the growth is proposed to explain this phenomenon, which provides a good agreement with the experimental results.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032269