Počet záznamů: 1  

Thermal conditions of growth and the necking evolution of Si, GaSb and GaAs. Glide phenomenon in the GaSb bowl

  1. 1.
    0134364 - FZU-D 20030262 RIV HU eng J - Článek v odborném periodiku
    Štěpánek, Bedřich - Šesták, Jaroslav - Mareš, Jiří J. - Šestáková, Věra
    Thermal conditions of growth and the necking evolution of Si, GaSb and GaAs. Glide phenomenon in the GaSb bowl.
    Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. Roč. 72, - (2003), s. 165-172. ISSN 1388-6150. E-ISSN 1588-2926
    Grant CEP: GA AV ČR IAA4010101; GA AV ČR IAA1010806
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM230000009
    Klíčová slova: doping gallium antimonide * low dislocation density * single crystal growth
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.094, rok: 2003

    A new mechnaism for dislocation elimination during the growth is proposed to explain this phenomenon, which provides a good agreement with the experimental results.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032269

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.