Počet záznamů: 1  

Charge transport study and spectral response of GaSb/GaAs heterojunctions prepared by MOVPE

  1. 1.
    0134254 - FZU-D 20030150 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Toušková, J. - Kindl, Dobroslav - Samokhin, Jevgen - Toušek, J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav - Výborný, Zdeněk
    Charge transport study and spectral response of GaSb/GaAs heterojunctions prepared by MOVPE.
    Solar Energy Materials and Solar Cells. Roč. 76, - (2003), s. 135-145. ISSN 0927-0248. E-ISSN 1879-3398
    Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: thermophotovoltaics * GaSb/GaAs heterojunction * charge transport * band diagram
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.188, rok: 2003

    Heterojunctions p-GaSb/n-GaAs with p-layer prepared by the MOVPE were investigated. Measurement of I-V characteristics in the temperature range from 200 to 350K show that the charge transport can be described by a combination of emission and diffusion processes. The experimental curves were compared with theoretically calculated ones.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032168

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.