Počet záznamů: 1  

Rapid crystallization of amorphous silicon at room temperature

  1. 1.
    0134052 - FZU-D 20020340 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Fojtík, Petr - Dohnalová, Kateřina - Mates, Tomáš - Stuchlík, Jiří - Gregora, Ivan - Chval, Jindřich - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan - Pelant, Ivan
    Rapid crystallization of amorphous silicon at room temperature.
    Philosophical Magazine B: Physics of Condensed Matter, Statistical Mechanics, Electronic, Optical, and Magnetic Properties. Roč. 82, č. 17 (2002), s. 1785-1793. ISSN 0141-8637
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: hydrogenated amorphous silicon * metal-induced solid-phase crystallization * nickel surface * photovoltaics
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.158, rok: 2002

    A way which thin films of hydrogenated amorphous silicon can be instantaneously crystallized at room temperature is reported.The metal-induced solid-phase crystallization method with nickel surface coverage is used.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031992

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.