Počet záznamů: 1  

Electric-field-enhanced metal-induced crystallization of hydrogenated amorphous silicon at room temperature

  1. 1.
    0133858 - FZU-D 20020037 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Pelant, Ivan - Fojtík, Petr - Luterová, Kateřina - Kočka, Jan - Poruba, Aleš - Štěpánek, J.
    Electric-field-enhanced metal-induced crystallization of hydrogenated amorphous silicon at room temperature.
    Applied Physics A - Materials Science & Processing. Roč. 74, - (2002), s. 557-560. ISSN 0947-8396. E-ISSN 1432-0630
    Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA ČR GA202/98/0669
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: crystallization * hydrogenated amorphous silicon * metal-induced crystallization
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 2.231, rok: 2002

    A novel simple method of crystallization of hydrogenated amorphous siliocm thin films is described. We studied a metal-induced crystallization enhanced by a dc electric field in sandwich p + -i-n + structures.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000638

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.