Počet záznamů: 1  

Polarization anisotropy of photoluminescence from multilayer InAs/GaAs quantum dots

  1. 1.
    0133808 - FZU-D 20020088 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Humlíček, J. - Munzar, D. - Navrátil, K. - Lorenc, M. - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard
    Polarization anisotropy of photoluminescence from multilayer InAs/GaAs quantum dots.
    Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. Roč. 13, - (2002), s. 229-232. ISSN 1386-9477. E-ISSN 1873-1759
    Grant CEP: GA ČR GA202/99/1613; GA ČR GA102/99/0414
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: self-assembled quantum dots * photoluminescence * polarization anisotropy
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.107, rok: 2002

    Results of our study of photoluminescence (PL) from multilayer InAs/GaAs quantum dot structures grown by MOVPE are presented and discuss them in terms of the envelope function approximation. 0
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031763

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.