Počet záznamů: 1
Polarization anisotropy of photoluminescence from multilayer InAs/GaAs quantum dots
- 1.0133808 - FZU-D 20020088 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Humlíček, J. - Munzar, D. - Navrátil, K. - Lorenc, M. - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Hulicius, Eduard
Polarization anisotropy of photoluminescence from multilayer InAs/GaAs quantum dots.
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. Roč. 13, - (2002), s. 229-232. ISSN 1386-9477. E-ISSN 1873-1759
Grant CEP: GA ČR GA202/99/1613; GA ČR GA102/99/0414
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: self-assembled quantum dots * photoluminescence * polarization anisotropy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.107, rok: 2002
Results of our study of photoluminescence (PL) from multilayer InAs/GaAs quantum dot structures grown by MOVPE are presented and discuss them in terms of the envelope function approximation. 0
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031763
Počet záznamů: 1