Počet záznamů: 1  

Thin amorphous chalcogenide films prepared by pulsed laser deposition

  1. 1.
    0133761 - FZU-D 20020142 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Němec, P. - Frumar, M. - Jedelský, J. - Jelínek, Miroslav - Lančok, Ján - Gregora, Ivan
    Thin amorphous chalcogenide films prepared by pulsed laser deposition.
    Journal of Non-Crystalline Solids. 299-302, - (2002), s. 1013-1017. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Grant CEP: GA ČR GA203/00/0085; GA MŠMT LN00A028
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: amorphous chalcogenide films * Raman spectroscopy
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.435, rok: 2002

    The structure of Ge-Ga-Se thin films was studied by Raman spectroscopy, GeSe4/2 tetrahedra, edge-sharing Ge2Se8/2 bi-tetrahedra, some Ge-Ge and Ge-Ga or Ga-Ga as well as Se-Se structural units were revealed.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031720

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.