Počet záznamů: 1  

Carrier dynamics in low-temperature grown GaAs studied by terahertz emission spectroscopy

  1. 1.
    0133578 - FZU-D 20010378 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Němec, Hynek - Pashkin, Alexej - Kužel, Petr - Khazan, M. - Schnüll, S. - Wilke, I.
    Carrier dynamics in low-temperature grown GaAs studied by terahertz emission spectroscopy.
    Journal of Applied Physics. Roč. 90, č. 3 (2001), s. 1303-1306. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
    Grant CEP: GA MŠMT LN00A032
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: ultrafast dynamics of free carriers * GaAs * time-domain terahertz emission spectroscopy
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 2.128, rok: 2001

    Ultrafast dynamics of free carriers in low-temperature grown GaAs was studied using time-domain terahertz emission spectroscopy. The subpicosecond free-carrier lifetime was determined for a set of annealed samples with different growth temperatures (175-250 C), the carrier mobility was also estimated.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031541

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.