Počet záznamů: 1  

Low temperature photoluminescence of Ga.sub.0.84./sub.In.sub.0.16./sub.As.sub.0.22./sub.Sb.sub.0.78./sub. solid solutions lattice matched to InAs

  1. 1.
    0133514 - FZU-D 20010209 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Moiseev, K. D. - Mikhailova, M. P. - Yakovlev, Yu. P. - Šimeček, Tomislav - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří
    Low temperature photoluminescence of Ga0.84In0.16As0.22Sb0.78 solid solutions lattice matched to InAs.
    Journal of Applied Physics. Roč. 90, č. 6 (2001), s. 2813-2817. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
    Výzkumný záměr: CEZ:A02/98:Z1-010-914
    Klíčová slova: LPE * GaIn0.16As0.22Sb * photoluminescence
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 2.128, rok: 2001

    Low-temperature photoluminescence study of liquid phase epitaxy grown undoped and Sn doped GaIn0.16As0.22Sb layers lattice-matched to InAs is reported. The emission band related to bound exciton was dominant.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031479

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.