Počet záznamů: 1
Low temperature photoluminescence of Ga.sub.0.84./sub.In.sub.0.16./sub.As.sub.0.22./sub.Sb.sub.0.78./sub. solid solutions lattice matched to InAs
- 1.0133514 - FZU-D 20010209 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Moiseev, K. D. - Mikhailova, M. P. - Yakovlev, Yu. P. - Šimeček, Tomislav - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří
Low temperature photoluminescence of Ga0.84In0.16As0.22Sb0.78 solid solutions lattice matched to InAs.
Journal of Applied Physics. Roč. 90, č. 6 (2001), s. 2813-2817. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Výzkumný záměr: CEZ:A02/98:Z1-010-914
Klíčová slova: LPE * GaIn0.16As0.22Sb * photoluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.128, rok: 2001
Low-temperature photoluminescence study of liquid phase epitaxy grown undoped and Sn doped GaIn0.16As0.22Sb layers lattice-matched to InAs is reported. The emission band related to bound exciton was dominant.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031479
Počet záznamů: 1