Počet záznamů: 1  

Scintillation characteristics and radiation damage of Ce-doped Bi.sub.4./sub.Si.sub.3./sub.O.sub.12./sub. single crystals

  1. 1.
    0133463 - FZU-D 20010315 RIV JP eng J - Článek v odborném periodiku
    Harada, K. - Ishii, M. - Senguttuvan, N. - Kobayashi, M. - Nikl, Martin - Feng, X.
    Scintillation characteristics and radiation damage of Ce-doped Bi4Si3O12 single crystals.
    Japanese Journal of Applied Physics. Roč. 40, 3A (2001), s. 1360-1366. ISSN 0021-4922. E-ISSN 1347-4065
    Grant CEP: GA MŠMT ME 159
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: Bi4Si3O12 * scintillator * radiation hardness * light yield * decay constant
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.249, rok: 2001

    Ce was doped into BSO at 0.1,0.2 and 0.4 at
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031428

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.