Počet záznamů: 1  

Broken-gap heterojunction in the .I.p-GaSb-./I.n-InAs.sub.1-x./sub.Sb.sub.x./sub.(0óxó0.18) system

  1. 1.
    0133427 - FZU-D 20010279 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
    Kizhaev, S. S. - Molchanov, S. S. - Zotova, N. V. - Grebenshchikova, E. A. - Yakovlev, Yu. P. - Hulicius, Eduard - Šimeček, Tomislav - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel
    Broken-gap heterojunction in the .I.p-GaSb-./I.n-InAs1-xSbx(0óxó0.18) system.
    Technical Physics Letters. Roč. 27, č. 11 (2001), s. 966-968. ISSN 1063-7850. E-ISSN 1090-6533
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
    Klíčová slova: MOVPE * photoluminiscene * InAs1-xSbx layers
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 0.384, rok: 2001

    Epitaxial InAs1-xSbx layers with the Sb content 0óxó0.18 were grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) on p-GaSb and n-InAs substrates. The photoluminescence (PL) spectra of the heterostructures were measured at T=77 K. The experiment PL data were used to study variation of the bandgap width as a function of the InAsSb solid solution composition.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031396

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.